IC制程中，硅片的清洗工藝可以說是極其重要，一塊合格的硅片需要經過反復多次復雜的清洗步驟，從而去除硅片表面的污染物，而這些污染物都能夠直接或間接的影響著芯片的性能。

（IC制程工藝流程圖）

硅片表面的污染物主要分為三大類：

由上面的表格可以清晰的看到無論是哪一種污染物都會影響晶圓性能，嚴重的可導致整塊晶圓報廢失效，由此也可見硅片清洗的重要性和必要性。硅片清洗工藝經過這么多年的發展，已經有了許多清洗方法，目前主流清洗主要包括濕法清洗與干法清洗兩大陣營。干法清洗主要有等離子體清洗、氣相清洗技術等。其清洗原理主要是將化學氣體加熱至等離子態，與晶片表面發生化學反應后生成易揮發性產物，然后被真空抽除。

（氣相清洗過程）

干法清洗的優點在于清洗后無廢液，可以有選擇性地進行芯片的局部清洗工序。但氣相化學法無法有選擇性的只與表面金屬污染物反應，會不可避免的與硅表面發生反應。因此干法清洗不能完全取代濕法清洗，工藝過程中通常采用干、濕法相結合的清洗方式。

濕法清洗的清洗原理則是通過添加不同的化學試劑，與之對應的污染物進行反應，然后通過超純水沖洗連同試劑與污染物一并去除。截至目前濕法化學清洗技術仍是半導體IC工業中的主要清洗技術，其中最為經典的即是RCA清洗工藝。RCA清洗工藝是1965年由Kern和Puotinen等人在N.J.Princeton的RCA實驗室提出的，主要由過氧化氫和堿組成的1號標準清洗液(SC-1)以及由過氧化氫和酸組成的2號標準清洗液(SC-2)進行一系列有序的清洗。

（典型的硅片濕法清洗過程）

RCA清洗工藝技術的特點在于按照應該被去除的污染物種類選擇相應的濕電子化學品，按照順序進行不同的清洗工藝，去除掉附著在硅片上的各種污染物。清洗液均是高潔凈度的電子級化學品，單價成本高，RCA清洗工藝設計中會將清洗液循環使用，由于循環使用的設計，清洗液就需要增加過濾除雜工序。由前文介紹可知，RCA清洗中使用到了大量的酸與堿，因此在過濾雜質的同時需要考慮濾芯對清洗液的耐受性。針對不同的使用點位，需要不同的濾芯匹配。邁博瑞深耕過濾行業數十年，擁有豐富的過濾解決方案，針對RCA清洗工藝，邁博瑞有如下的產品可供客戶選擇：

由于濾芯會直接接觸清洗液，因此濾芯本身對清洗液就是一個污染源，為了避免清洗液的二次污染，濾芯的潔凈度就顯得尤為重要了。

為了保障濾芯的潔凈度，高潔凈度濾芯需經過金屬離子析出，顆粒脫落，TOC，電阻率等的檢測項。邁博瑞公司擁有CNAS認證的檢測中心，為產品的檢測保駕護航。

除此之外，高潔凈度濾芯的生產環節都有著嚴格的管控。第一，高潔凈度濾芯打折，焊接等生產工序在百級無塵車間，清洗工序在千級無塵車間中完成。第二，高潔凈度濾芯的原料進行檢測分級，并進行初步清洗。第三，定制化的濾芯清洗流程，每一只濾芯都經過多步驟的清洗。從下方圖表可知，通過多種有效的潔凈度管控，使得邁博瑞公司生產的濾芯金屬與顆粒脫落都達到一個較高潔凈度水平。

（邁博瑞與競品濾芯金屬含量對比）

（邁博瑞與競品濾芯顆粒脫落對比）

綜上所述，邁博瑞有著強大的產品力，可定制化的高潔凈度過濾方案能夠滿足高階客戶的潔凈度管控需求，減少二次污染的風險，為客戶降本增效，實現合作共贏。