薄膜工藝過(guò)濾解決方案

薄膜沉積技術(shù)是一種在基片表面沉積薄膜材料的技術(shù)，是微電子、光電子、磁性材料等行業(yè)發(fā)展必不可少的關(guān)鍵工藝，薄膜沉積工藝主要分為物理和化學(xué)方法兩類，物理和化學(xué)方法相互補(bǔ)充，物理方法主要用于沉積金屬導(dǎo)線及金屬化合物薄膜等，而一般的物理方法無(wú)法實(shí)現(xiàn)絕緣材料的轉(zhuǎn)移，需要化學(xué)方法通過(guò)不同氣體間的反應(yīng)來(lái)沉積，另外部分化學(xué)方法也可以用來(lái)沉積金屬薄膜。薄膜沉積需要在真空環(huán)境進(jìn)行，同時(shí)工藝腔室需要通入超純的反應(yīng)氣體以及惰氣體，除此之外，晶圓片在工藝腔、冷卻腔、傳送腔之間的交互傳送也需要及進(jìn)行破真空動(dòng)作，這一系列操作都需要在極為潔凈與穩(wěn)定的環(huán)境中進(jìn)行。

1）物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）主要是通過(guò)物理過(guò)程,如蒸發(fā)、濺射等,將原材料轉(zhuǎn)化為氣態(tài),并在基片表面沉積成膜。

2）化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)，將氣相前驅(qū)物轉(zhuǎn)化為固態(tài)薄膜，沉積在基片表面。

CVD成膜原理示意圖：

薄膜工藝過(guò)濾產(chǎn)品

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